Зачем нужна эквивалентная схема биполярного транзистора

Автор

Существует и другая форма представления этой взаимосвязи в виде эквивалентных схем, когда реальные процессы в нелинейных устройствах можно заменить на набор активных источники тока и напряжения и пассивных резисторы, емкости элементов, адекватно описывающих взаимосвязь входных и выходных параметров.

В одиночном p-n-переходе при диффузии дырок в п-область происходит полная рекомбинация инжектированных дырок с электронами п-области. Так что вместо зависящих от времени переменных составляющих в получаемые нами формулы можно подставлять комплексные или при определенных условиях даже действительные амплитуды этих составляющих.

Заметим, что в большинстве случаев анализ по переменным составляющим проводится методом комплексных амплитуд. В эмиттерном переходе транзистора происходит такой же процесс.В различной литературе могут использоваться разные способы обозначения амплитуд, действующих значений и других параметров сигналов и схем; мы будем придерживаться следующей системы. В этом режиме эмиттерный переход транзистора открыт.

Биполярный транзистор

По быстродействию они значительно превосходят биполярные транзисторы. Все такие величины обычно не принято обозначать так, как мы это делаем для комплексных амплитуд и действующих значений, — точкой вверху. IGBT-транзисторы вытесняют тиристоры из высоковольтных схем преобразования частоты и позволяют создать импульсные источники вторичного электропитания с качественно лучшими характеристиками. Для каждого случая, как правило, есть свое устоявшееся обозначение.

Статьи и схемы

Чаще всего IGBT-транзисторы используют в качестве мощных ключей, у которых время включения 0,2 - 0,4 мкс, а время выключения 0,2 - 1,5 мкс, коммутируемые напряжения достигают 3,5 кВ, а токи А. Его входные характеристики подобны входным характеристикам полевого транзистора, а выходные — выходным характеристикам биполярного.

ЧТО ТАКОЕ IGBT ТРАНЗИСТОРЫ



Работа биполярного транзистора в активном режиме основана на явлении диффузии, а также на эффекте дрейфа носителей заряда в электрическом поле. Анализируя электрические цепи методом комплексных амплитуд, мы приходим к комплексным значениям некоторых реальных параметров этих схем комплексные сопротивления, проводимости, коэффициенты усиления и.

Зависящие от времени как правило, гармонические переменные электрические показатели например, токи и напряжения в цепях будем обозначать малыми латинскими буквами: Как правило, нам придется отдельно рассматривать переменные и постоянные составляющие токов и напряжений, в цепях.

Обозначение с индексом "-" применяется именно там, где существует возможность вариации подставляемых в формулы значений в зависимости от некоторых условий расчетов например, проводим ли мы расчеты для низких или для высоких частот, а также используем ли мы действительные, комплекснозначные или определенные во временной области параметры элементов.

Объединяет их использование прописных латинских букв G, Y, Н и. Соответствующие же малые латинские буквы g, у,h и.

При этом для обозначения постоянных составляющих мы будем пользоваться дополнительным индексом "0", а для обозначения переменных составляющих — дополнительным индексом "-". IGBT транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором являются новым типом активного прибора, который появился сравнительно недавно.

Комментарии:

Ответить

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *